(节选)

超高密度信息存储是指信息存储密度1012 bits/cm2，超高密度信息存储作为纳米电子学和分子电子学的一个重要研究内容，将为未来信息技术的发展奠定理论和技术基础。中国科学院化学研究所有机固体重点实验室的宋延林研究员和中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室的高鸿钧研究员在《2008科学发展报告》中发表了一篇题为“超高密度信息存储材料研究取得系列进展”的文章。本文简要介绍了近年来我国在这一领域取得的一些重要研究进展。

文章介绍了超高密度信息存储的发展依赖于存储技术和存储材料的发展。在存储技术上，以扫描隧道显微镜，原子力显微镜和近场光学显微镜（STM, AFM, SNOM）为代表的扫描探针显微（SPM）技术成为超高密度信息存储研究中的有力工具,而基于双光子等技术的三维存储也为高密度光学存储的发展提供了广阔空间。在存储材料方面，有机材料被认为是适用于纳米和分子尺寸信息存储的优异材料。设计具有优异光电特性、良好稳定性和成膜性的有机分子并制备其高质量薄膜，进一步用于超高密度信息存储和其它分子电子器件的研究，成为近年来国际上的研究热点之一。

文章重点介绍了在过去的十多年里中国科学院物理研究所和化学研究所的科研人员在这一领域取得的一系列进展，他们从分子设计的角度出发,设计合成了一系列有特色的有机功能分子作为信息存储介质，利用SPM等技术进行信息存储实验，并通过各种物理、化学方法进行存储机理的深入研究和理论计算分析，在纳米/分子尺度的电学信息存储、纳米尺度的可擦写信息存储、可逆的电导变化和纳米尺度的信息存储和擦除等多方面取得了一系列重要研究进展。（摘自中国科学院“科学发展报告”课题组撰写的《2008科学发展报告》）