9月28日，由本市承担的国家“十五”863计划集成电路制造装备重大专项———100纳米刻蚀机与离子注入机的攻关项目，顺利通过国家科技部的验收。同时，其研发生产方北京北方微电子公司和北京中科信公司，分别与世界知名代工厂签订了价值超过1亿元人民币的采购大单。

刻蚀机和离子注入机是生产高端集成电路的重要装备。“100纳米”指由半导体硅材料所制成的芯片上线宽的单位，线宽越小，集成电路芯片单位面积上集成晶体管个数会越多，芯片的集成度和运行速度则越快。就好比汽车发动机气缸越多，马力就越大。

这是我国国产主流集成电路制造专用核心设备首次实现批量销售，标志着我国集成电路制造核心装备研发取得了重大突破。“这意味着我国在芯片装备制造领域将更快地摆脱对国外产品的依赖，一旦我国有了自主知识产权的先进产品，就不用花高价购买国外的芯片制造设备。”市政府工业促进局电子信息产业发展处处长梁胜告诉记者。

据梁胜透露，投资一条12英寸年产2万片的芯片制造生产线要10亿美元，其中包括刻蚀机与离子注入机及其他装备设备要投资的80%，即8亿美元。如果能用上国产装备，总投资将减少1/3。再加上省去的每年设备折旧费用以及银行贷款利息，可以大幅度降低芯片产品的成本。

梁胜说，“九五”末期，我国集成电路装备的水平只有6英寸0.5微米，与当时国外领先的生产水平相差5个技术代，国内8英寸以上生产线没有一台国产设备。而很多国外企业卖给我国的一些芯片制造装备，毛利都在100%以上。2005年，我国芯片产品进口额达到780亿美元，比同期石油进口额还多出280亿美元。

“集成电路制造的核心装备主要包括七项，这次研发成功的100纳米高密度等离子刻蚀机与大角度离子注入机是其中的两项，它们的研发成功将有助于扭转我国集成电路制造装备长期依赖进口的局面。”科技部有关负责人如是说。

据悉，这两种设备的研制成功，实现了我国高端集成电路核心设备零的突破，技术水平跨越5代。我国科技人员仅用3年多的时间就走完了发达国家走了10年的路，并首次实现了高端集成电路装备的“中国创造”，为今年北京高新技术产业发展做出值得骄傲的贡献。

更重要的是，这两种设备的技术水平基本与我国集成电路制造业主流技术水平更新同步。未来两到三年我国集成电路制造业从180纳米向130和90纳米升级时，可以使用上国产装备。这对我国集成电路制造业在装备上摆脱受制于人的局面，建立自主创新能力和核心竞争力具有重要的战略意义。